联系人:肖经理
手 机:19902965566
邮 箱:676415094@qq.com
地 址:深圳市龙华区大浪街道横朗社区华繁路289号裕健丰工业区4号厂房B栋三楼


WT2601 是SOT23‑6 封装、内置 800V 功率 BJT 的 BCM 模式高压降压开关电源芯片,面向非隔离小功率离线转换器,典型应用于应急灯、家电等设备。WT2601可替代LP2601
核心控制:专有无电容高压降压恒压 CV 控制,无需外部补偿 / 滤波电容;支持线缆压降补偿、多模式控制、噪声消除、快速动态响应、零输出启动,满足 USB 充电需求;工作在 BCM 临界导通模式。
保护功能齐全:逐周期限流 OCP、前沿消隐 LEB、引脚浮空保护;VDD 欠压锁存 UVLO、VDD 钳位、FB 短路保护、软启动、智能输出短路保护,适配漏感较大系统的短路工况。
硬件优势:集成高压启动电路,省去外部启动电阻;内置功率 BJT,降低整机 BOM 成本,可直接驱动低成本 BJT。
| 引脚 | 名称 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | VCC | 芯片供电 |
| 2 | GND | 地 |
| 3、5 | NC | 空脚 |
| 4 | C | 高压 BJT 集电极 |
| 6 | FB | 反馈采样引脚,内部集成 11kΩ 下拉电阻,内部 EA 参考电压 1.1V |
推荐工作条件:VDD 4.5‑5V;环境温度‑40~85℃,最大开关频率 70kHz。
关键极限参数:BJT 集射极耐压 800V;SOT‑23‑6 热阻 240℃/W;结温上限 150℃;HBM 人体模型 ESD 3kV。
关键电气参数
VDD:UVLO 关断 2.8V 典型,开启 4.2V 典型,VDD 钳位 5.1V;工作电流典型 0.25mA;
FB 内部参考电压 1.1V;前沿消隐时间 450ns;最小关断时间 2.5μs,最大关断 8ms;
内置峰值限流 Ipk 典型 360mA;内置 BJT 饱和压降最大 0.5V,电流增益 Hfe 10‑30。
输出电压计算:依靠 FB 引脚分压设置输出电压:
\(Vo=Vref * \frac{R_{FBIN}+R_{FBH}}{R_{FBIN}}-V_d\) Vref=1.1V,\(R_{FBIN}\)为芯片内置 11kΩ,\(R_{FBH}\)外部分压电阻,\(V_d\)是续流二极管 D3 压降。 2. 电感计算:BCM 模式下电感可通过输入电压、输出电压、峰值电流、工作频率计算;BCM 模式电感电流每次从 0 上升到峰值,电流降到 0 后重新开启功率管。 3. 多模式控制:重载 PFM 提升可靠性,普通 / 轻载 PFM 保证稳压与高效率,抑制音频噪声;最大 8ms 关断时间实现低待机功耗;450ns 前沿消隐避免开通尖峰误触发限流。
典型应用为高压 Buck 降压电路,整流输入后,芯片 C 脚接高压母线;VCC 供电;FB 外接分压电阻采样输出电压;搭配储能电感 L、续流二极管 D3、输出电容\(C_{VO}\)实现降压输出。
![{sdcms[工商电子图标]}](/upfile/202208/2022082237970001.png)